Цифровой звук


Описание - часть 2


Отверстие фазоинвертора выведено на боковую панель. Габариты сабвуфера составляют 23х23х25 сантиметров. Корпус сабвуфера выполнен из ДВП. Толщина всех шести стенок равна 9 миллиметрам.


Сабвуфер со снятой защитной сеткой


Диффузор низкочастотного динамика выведен на переднюю панель и закрыт защитной сеткой, которая представляет собой металлическую решетку. Диаметр бумажного диффузора составляет 11,5 сантиметров. Гибкий подвес изготовлен из вспененного полимера и тактильно мягкий.


Панель коммутации

Панель коммутации расположена на задней стороне сабвуфера и включает в себя разъем для подключения проводного пульта ДУ (Control), линейный вход для подключения внешнего источника (Input) и разъемы для подключения сателлитов (Satellite Output).

Усилительная плата и трансформатор находятся на задней панели сабвуфера со внутренней стороны. В качестве усилителя производитель использует четыре усилительные микросхемы TDA 2030 от ST. Две из них используются для усиления сигнала на сателлиты и две на сабвуфер по мостовой схеме. Из спецификации на эти микросхемы можно выявить следующее: типичное значение THD = 0,2% (максимальное 0,5%), мощность 14 Вт RMS на нагрузке 4 Ом, диапазон воспроизводимых частот 40 Гц – 15 000 Гц. Что же, для используемых динамических головок такие значения параметра THD не являются узким местом.




Начало  Назад  Вперед



Книжный магазин